coolsic g2 文章 進入coolsic g2技術(shù)社區(qū)
實現(xiàn)3.3KW高功率密度雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案
- 隨著社會經(jīng)濟發(fā)展、能源結(jié)構(gòu)變革,近幾年全球?qū)矣脙δ芟到y(tǒng)的需求量一直保持相當程度的增長。2023年,全球家用儲能系統(tǒng)市場銷售額達到了87.4億美元,預計2029年將達到498.6億美元,年復合增長率(CAGR)為33.68%(2023-2029);便攜儲能市場經(jīng)過了一輪爆發(fā)式增長的狂歡后,現(xiàn)在也迎來了穩(wěn)定增長期,從未來看,預計在2027年便攜儲能市場將達到900億元;AI Server市場規(guī)模持續(xù)增長,帶來了數(shù)字化、智能化服務器所需的高功率服務器電源的需求,現(xiàn)在單機3KW的Power也成為了標配。對于
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貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET
- 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術(shù),開啟了電力系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章,適用于光伏逆變器、能量儲存系統(tǒng)、電動汽車充電、電源和電機驅(qū)動應用。貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見電源方案組合(AC-DC、DC-DC和DC-A
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英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400V,重新定義AI服務器電源的功率密度和效率
- 隨著人工智能(AI)處理器對功率的要求日益提高,服務器電源(PSU)必須在不超出服務器機架規(guī)定尺寸的情況下提供更高的功率,這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末,每顆高級GPU芯片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關(guān)特定客戶需求的出現(xiàn),促使英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)開發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產(chǎn)品?,F(xiàn)在,英飛凌基于今年早些時候發(fā)布的第二代(G2)CoolSiCTM技術(shù),推出全新CoolSiC??MOS
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英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2
- 在技術(shù)進步和低碳化日益受到重視的推動下,電子行業(yè)正在向結(jié)構(gòu)更緊湊、功能更強大的系統(tǒng)轉(zhuǎn)變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產(chǎn)品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡,同時兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前,英飛凌正在通過采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個全新產(chǎn)品系列,擴展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導體器件?650 V產(chǎn)品組合。這兩個產(chǎn)品系列基于Coo
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英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展
- 英飛凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET,以滿足工業(yè)和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級和車規(guī)級SiC MOSFET,針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋(DAB)、HERIC、降壓/升壓和移相全橋(PSFB)拓撲結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應用(包括電動汽車充電、工業(yè)驅(qū)動器、太陽能和儲能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務器/數(shù)據(jù)中心、電信等)和汽車領(lǐng)域(包括車載充電器(OBC)、直流-直流轉(zhuǎn)換器等)
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英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2,推動低碳化的高性能系統(tǒng)
- 英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比,?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下,將MOSFET的主要性能指標(如能量和電荷儲量)提高了20%,不僅提升了整體能效,更進一步推動了低碳化進程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術(shù)繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢,通過降低能量損耗來提高功率轉(zhuǎn)換過程
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2000V 12-100mΩ CoolSiC? MOSFET
- CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù),CoolSiC?技術(shù)的輸出電流能力強,可靠性提高。產(chǎn)品型號:???IMYH200R012M1H???IMYH200R024M1H???IMYH200R050M1H???IMYH200R075M1H???IMYH200R0100M1H產(chǎn)品特點■ VDSS=2000V,可用于最高母線電壓為1500VDC系統(tǒng)■ 開關(guān)損
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英飛凌推出全新62 mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合,助力實現(xiàn)更高效率和功率密度
- 英飛凌科技股份公司近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm?器件半橋拓撲設(shè)計并基于新推出的增強型M1H?碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應用于250 kW以上的中等功率等級應用,而傳統(tǒng)IGBT硅技術(shù)在這一功率等級應用的的功率密度已達極限值。相比傳統(tǒng)的62mm IGBT?模塊,其應用范圍現(xiàn)已擴展至太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電樁、牽引、商用感應電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。增強型
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英飛凌的 CoolSiC? XHP? 2 高功率模塊助力推動節(jié)能電氣化列車低碳化
- 【2023 年 5 月 12 日,德國慕尼黑訊】為了實現(xiàn)全球氣候目標,交通運輸必須轉(zhuǎn)用更加環(huán)保的車輛,比如節(jié)能的電氣化列車。然而,列車運行有苛刻的運行條件,需要頻繁加速和制動,且要在相當長的使用壽命內(nèi)可靠運行。因此,它們需要采用具備高功率密度、高可靠性和高質(zhì)量的節(jié)能牽引應用。 英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)為了滿足上述需求,在其 CoolSiC? 功率模塊產(chǎn)品組合中增加了兩款新產(chǎn)品:FF2000UXTR33T2M1 和 FF2600UXTR33T2M
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英飛凌為布魯姆能源公司的電解系統(tǒng)和燃料電池提供CoolSiC?功率器件
- 【2022年10月26日,德國慕尼黑訊】當前的能源危機充分表明,全球迫切需要尋找替代能源來構(gòu)建氣候友好型的能源供應能力。近日,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的CoolSiC? MOSFET和CoolSiC二極管被總部位于加利福尼亞州的布魯姆能源公司(Bloom Energy)選中,用于其燃料電池產(chǎn)品布魯姆能源服務器(Bloom’s Energy Server)以及布魯姆電解系統(tǒng)(Bloom Electrolyzer)中的功率變換。??布魯姆能源
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英飛凌CoolSiC?器件為臺達雙向逆變器提供助力,讓電動汽車化身家庭應急備用電源
- 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的CoolSiC?產(chǎn)品被總部位于臺灣的全球領(lǐng)先的電源管理及散熱解決方案提供商臺達電子選用,使得臺達電子向著利用綠色電力實現(xiàn)能源轉(zhuǎn)型和碳中和的目標邁出了一大步。臺達成功開發(fā)出了雙向逆變器,即一個由太陽能發(fā)電、儲能和電動汽車(EV)充電組成的三合一混合系統(tǒng),它能夠?qū)㈦妱悠囎鳛榧彝眰溆秒娫础?nbsp;這款雙向逆變器可用于為電動汽車(EV)和家用電池充電,還能作為意外停電時的備用電源,以及高效綠色能源發(fā)電設(shè)備的核心組件。該雙向逆變器搭
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碳化硅發(fā)展勢頭旺,英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET
- 王? 瑩? (《電子產(chǎn)品世界》編輯)近期,多家公司發(fā)布了碳化硅 (SiC)方面的新產(chǎn)品。作為新興 的第三代半導體材料之一,碳化硅 具備哪些優(yōu)勢,現(xiàn)在的發(fā)展程度 如何?不久前,碳化硅的先驅(qū)英飛凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ,值此機會,電子產(chǎn)品世 界訪問了英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事 業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應用高級市 場經(jīng)理陳清源先生。 碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系 碳化硅MOSFET是一種新器 件,使一些以前硅材料很難被應用 的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu),例如電流連續(xù)模 式
- 關(guān)鍵字: 202004 碳化硅 CoolSiC? MOSFET
瑞薩科技SH-Mobile G2單芯片LSI開始樣品供貨
- 用于雙模移動手機的芯片是與NTT DoCoMo、富士通、三菱電機和夏普共同開發(fā)的 瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布,其用于雙模HSDPA/W-CDMA和GSM/GPRS/EDGE移動電話的一款單芯片LSI(LSI)SH-Mobile G2已開始交付樣品。該LSI是由NTT DoCoMo公司、富士通有限公司、三菱電機股份有限公司和夏普公司共同開發(fā)的,從2006年9月底開始用于評估的樣品已交付給這些手機制造商。
- 關(guān)鍵字: G2 LSI SH-Mobile 單芯片 供貨 瑞薩科技 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無線 消費電子 樣品 消費電子
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